SISH114ADN-T1-GE3 Vishay Semiconductors
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| 500+ | 0.8 EUR |
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Technische Details SISH114ADN-T1-GE3 Vishay Semiconductors
Description: VISHAY - SISH114ADN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 35 A, 0.0062 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 35A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 39W, Bauform - Transistor: PowerPAK 1212, Anzahl der Pins: 8Pins, Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0062ohm.
Weitere Produktangebote SISH114ADN-T1-GE3
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis ohne MwSt |
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SISH114ADN-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
 Description: VISHAY - SISH114ADN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 35 A, 0.0062 ohm, PowerPAK 1212, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 35A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 39W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0062ohm |
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SISH114ADN-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V 18A/35A PPAK |
auf Bestellung 6050 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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SISH114ADN-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SISH114ADN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 35 A, 0.0062 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 35A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 39W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0062ohm |
auf Bestellung 5611 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SISH114ADN-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V 18A/35A PPAK |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| SISH114ADN-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 35A; Idm: 60A; 25W Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 35A Pulsed drain current: 60A Power dissipation: 25W Case: PowerPAK® 1212-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 9.8mΩ Mounting: SMD Gate charge: 32nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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| SISH114ADN-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 35A; Idm: 60A; 25W Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 35A Pulsed drain current: 60A Power dissipation: 25W Case: PowerPAK® 1212-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 9.8mΩ Mounting: SMD Gate charge: 32nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
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