SISH617DN-T1-GE3 Vishay Semiconductors
auf Bestellung 7562 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 24+ | 2.23 EUR |
| 27+ | 1.93 EUR |
| 100+ | 1.34 EUR |
| 500+ | 1.12 EUR |
| 1000+ | 0.95 EUR |
| 3000+ | 0.82 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details SISH617DN-T1-GE3 Vishay Semiconductors
Description: VISHAY - SISH617DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 35 A, 0.0103 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 35A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 52W, Bauform - Transistor: PowerPAK 1212, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0103ohm, SVHC: Lead (10-Jun-2022).
Weitere Produktangebote SISH617DN-T1-GE3
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
|---|---|---|---|---|---|
 |
SISH617DN-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
 Description: VISHAY - SISH617DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 35 A, 0.0103 ohm, PowerPAK 1212, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 35A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 52W Anzahl der Pins: 8Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0103ohm |
auf Bestellung 16924 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
 |
SISH617DN-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CHAN 30V POWERPAK 1212- |
auf Bestellung 5410 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
|
|
|
SISH617DN-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SISH617DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 35 A, 0.0103 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 35A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 52W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0103ohm SVHC: Lead (10-Jun-2022) |
auf Bestellung 16924 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|
|
SISH617DN-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CHAN 30V POWERPAK 1212- |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
|
 |
SISH617DN-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 13.9A 8-Pin PowerPAK 1212-SWLH EP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
|
| SISH617DN-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
SISH617DN-T1-GE3 SMD P channel transistors |
Produkt ist nicht verfügbar |