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Technische Details SISS76LDN-T1-GE3 Vishay / Siliconix
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 70V; 54A; Idm: 120A; 36W, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: TrenchFET®, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 70V, Drain current: 54A, Pulsed drain current: 120A, Power dissipation: 36W, Case: PowerPAK® 1212-8, Gate-source voltage: ±12V, On-state resistance: 6.9mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 33.5nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhanced, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
Weitere Produktangebote SISS76LDN-T1-GE3
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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| SISS76LDN-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 70V 19.6A/67.4A PPAK |
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| SISS76LDN-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 70V 19.6A/67.4A PPAK |
auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| SISS76LDN-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 70V; 54A; Idm: 120A; 36W Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 70V Drain current: 54A Pulsed drain current: 120A Power dissipation: 36W Case: PowerPAK® 1212-8 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 6.9mΩ Mounting: SMD Gate charge: 33.5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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| SISS76LDN-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 70V; 54A; Idm: 120A; 36W Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 70V Drain current: 54A Pulsed drain current: 120A Power dissipation: 36W Case: PowerPAK® 1212-8 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 6.9mΩ Mounting: SMD Gate charge: 33.5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
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