SIZ254DT-T1-GE3 Vishay / Siliconix
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Technische Details SIZ254DT-T1-GE3 Vishay / Siliconix
Description: VISHAY - SIZ254DT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 70 V, 70 V, 32.5 A, 32.5 A, 0.0129 ohm, tariffCode: 85412900, Wandlerpolarität: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0129ohm, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 32.5A, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 32.5A, hazardous: false, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series, Bauform - Transistor: PowerPAIR, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Verlustleistung, n-Kanal: 33W, Drain-Source-Spannung Vds: 70V, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 70V, Verlustleistung, p-Kanal: 33W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 70V, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0129ohm, Dauer-Drainstrom Id: 32.5A, rohsPhthalatesCompliant: YES, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0129ohm, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, usEccn: EAR99, Transistormontage: Oberflächenmontage, Verlustleistung Pd: 33W, SVHC: Lead (19-Jan-2021).
Weitere Produktangebote SIZ254DT-T1-GE3 nach Preis ab 1.43 EUR bis 3.15 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis ohne MwSt | ||||||||||||
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SIZ254DT-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
 Description: DUAL N-CHANNEL 70 V (D-S) MOSFETPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 4.3W (Ta), 33W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 70V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.7A (Ta), 32.5A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 795pF @ 35V, 765pF @ 35V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.1mOhm @ 10A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PowerPair® (3.3x3.3) Part Status: Active |
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SIZ254DT-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SIZ254DT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 70 V, 70 V, 32.5 A, 32.5 A, 0.0129 ohm tariffCode: 85412900 Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C productTraceability: Yes-Date/Lot Code Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0129ohm Anzahl der Pins: 8Pin(s) Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 32.5A Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 32.5A hazardous: false Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series Bauform - Transistor: PowerPAIR Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V euEccn: NLR rohsCompliant: YES Verlustleistung, n-Kanal: 33W Drain-Source-Spannung Vds: 70V Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 70V Verlustleistung, p-Kanal: 33W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 70V Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0129ohm Dauer-Drainstrom Id: 32.5A rohsPhthalatesCompliant: YES Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0129ohm Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - usEccn: EAR99 Transistormontage: Oberflächenmontage Verlustleistung Pd: 33W SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
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SIZ254DT-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: DUAL N-CHANNEL 70 V (D-S) MOSFET Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 4.3W (Ta), 33W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 70V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.7A (Ta), 32.5A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 795pF @ 35V, 765pF @ 35V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.1mOhm @ 10A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PowerPair® (3.3x3.3) Part Status: Active |
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