SIZ980DT-T1-GE3
Informationen zu Lagerverfügbarkeit und Lieferzeiten
auf Bestellung 336 Stücke
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
auf Bestellung 336 Stücke
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
Technische Details SIZ980DT-T1-GE3
Description: MOSFET 2 N-CH 30V 8-POWERPAIR, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930pF @ 15V, 4600pF @ 15V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.1nC @ 4.5V, 35nC @ 4.5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 15A, 10V, 1.6mOhm @ 19A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc), 60A (Tc), Supplier Device Package: 8-PowerPair®, Package / Case: 8-PowerWDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Power - Max: 20W, 66W, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, FET Feature: Standard, FET Type: 2 N-Channel (Dual), Schottky, Part Status: Active, Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $).
Preis SIZ980DT-T1-GE3 ab 2.32 EUR bis 4.03 EUR
 Hersteller: Vishay Trans MOSFET N-CH 30V 20A/60A 8-Pin PowerPAIR EP T/R 
|
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen |
|
|
|
SIZ980DT-T1-GE3 Hersteller: Vishay Trans MOSFET N-CH 30V 20A/60A 8-Pin PowerPAIR EP T/R
|
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen |
|
|
 Hersteller: Vishay Siliconix Description: MOSFET 2 N-CH 30V 8-POWERPAIR Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930pF @ 15V, 4600pF @ 15V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.1nC @ 4.5V, 35nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 15A, 10V, 1.6mOhm @ 19A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc), 60A (Tc) Supplier Device Package: 8-PowerPair® Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 20W, 66W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V FET Feature: Standard FET Type: 2 N-Channel (Dual), Schottky Part Status: Active Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $)
|
auf Bestellung 5599 Stücke Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
|
|
 Hersteller: Vishay Siliconix Description: MOSFET 2 N-CH 30V 8-POWERPAIR Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 20W, 66W FET Type: 2 N-Channel (Dual), Schottky Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc), 60A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930pF @ 15V, 4600pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 15A, 10V, 1.6mOhm @ 19A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.1nC @ 4.5V, 35nC @ 4.5V FET Feature: Standard Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5) Part Status: Active
|
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen |
|
|
|
Hersteller: Vishay Siliconix Description: MOSFET 2 N-CH 30V 8-POWERPAIR Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 20W, 66W FET Type: 2 N-Channel (Dual), Schottky Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc), 60A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930pF @ 15V, 4600pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 15A, 10V, 1.6mOhm @ 19A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.1nC @ 4.5V, 35nC @ 4.5V FET Feature: Standard Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5) Part Status: Active
|
auf Bestellung 1649 Stücke Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
|
|