SM8S33AHE3_A/I Vishay
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Technische Details SM8S33AHE3_A/I Vishay
Description: VISHAY - SM8S33AHE3_A/I - TVS-Diode, PAR SM8S, Unidirektional, 33 V, 53.3 V, DO-218AB, 2 Pin(s), tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: DO-218AB, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Durchbruchspannung, min.: 36.7V, Qualifikation: AEC-Q101, Durchbruchspannung, max.: 40.6V, usEccn: EAR99, Sperrspannung: 33V, euEccn: NLR, Spitzenimpulsverlustleistung: 6.6kW, TVS-Polarität: Unidirektional, Anzahl der Pins: 2Pin(s), Produktpalette: PAR SM8S, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Klemmspannung, max.: 53.3V.
Weitere Produktangebote SM8S33AHE3_A/I nach Preis ab 2.04 EUR bis 9.44 EUR
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Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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SM8S33AHE3_A/I | Hersteller : Vishay |
 Diode TVS Single Uni-Dir 33V 6.6KW Automotive 2-Pin(1+Tab) DO-218AB T/R |
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SM8S33AHE3_A/I | Hersteller : Vishay |
Diode TVS Single Uni-Dir 33V 6.6KW Automotive 2-Pin(1+Tab) DO-218AB T/R |
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SM8S33AHE3_A/I | Hersteller : Vishay |
Diode TVS Single Uni-Dir 33V 6.6KW Automotive 2-Pin(1+Tab) DO-218AB T/R |
auf Bestellung 11250 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SM8S33AHE3_A/I | Hersteller : VISHAY |
Category: Unidirectional SMD transil diodes Description: Diode: TVS; 5.2kW; 36.7V; 124A; unidirectional; DO218AB; reel,tape Type of diode: TVS Peak pulse power dissipation: 5.2kW Max. off-state voltage: 33V Breakdown voltage: 36.7V Max. forward impulse current: 124A Semiconductor structure: unidirectional Case: DO218AB Mounting: SMD Leakage current: 10µA Kind of package: reel; tape Application: automotive industry Technology: PAR® Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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SM8S33AHE3_A/I | Hersteller : VISHAY |
Category: Unidirectional SMD transil diodes Description: Diode: TVS; 5.2kW; 36.7V; 124A; unidirectional; DO218AB; reel,tape Type of diode: TVS Peak pulse power dissipation: 5.2kW Max. off-state voltage: 33V Breakdown voltage: 36.7V Max. forward impulse current: 124A Semiconductor structure: unidirectional Case: DO218AB Mounting: SMD Leakage current: 10µA Kind of package: reel; tape Application: automotive industry Technology: PAR® |
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SM8S33AHE3_A/I | Hersteller : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: TVS DIODE 33VWM 53.3VC DO218AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-218AB Mounting Type: Surface Mount Type: Zener Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Current - Peak Pulse (10/1000µs): 124A Voltage - Reverse Standoff (Typ): 33V Supplier Device Package: DO-218AB Unidirectional Channels: 1 Voltage - Breakdown (Min): 36.7V Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 53.3V Power - Peak Pulse: 6600W (6.6kW) Power Line Protection: No Part Status: Active Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
auf Bestellung 2250 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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SM8S33AHE3_A/I | Hersteller : Vishay General Semiconductor |
ESD Suppressors / TVS Diodes 8W,33V 5%,SMD PAR AEC-Q101 Qualified |
auf Bestellung 18062 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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SM8S33AHE3_A/I | Hersteller : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: TVS DIODE 33VWM 53.3VC DO218AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-218AB Mounting Type: Surface Mount Type: Zener Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Current - Peak Pulse (10/1000µs): 124A Voltage - Reverse Standoff (Typ): 33V Supplier Device Package: DO-218AB Unidirectional Channels: 1 Voltage - Breakdown (Min): 36.7V Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 53.3V Power - Peak Pulse: 6600W (6.6kW) Power Line Protection: No Grade: Automotive Part Status: Active Qualification: AEC-Q101 |
auf Bestellung 2472 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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SM8S33AHE3_A/I | Hersteller : Vishay |
Diode TVS Single Uni-Dir 33V 6.6KW Automotive 2-Pin(1+Tab) DO-218AB T/R |
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SM8S33AHE3_A/I | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SM8S33AHE3_A/I - TVS-Diode, PAR SM8S, Unidirektional, 33 V, 53.3 V, DO-218AB, 2 Pin(s) tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-218AB rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Durchbruchspannung, min.: 36.7V Qualifikation: AEC-Q101 Durchbruchspannung, max.: 40.6V usEccn: EAR99 Sperrspannung: 33V euEccn: NLR Spitzenimpulsverlustleistung: 6.6kW TVS-Polarität: Unidirektional Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: PAR SM8S productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Klemmspannung, max.: 53.3V |
auf Bestellung 735 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SM8S33AHE3_A/I | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SM8S33AHE3_A/I - TVS-Diode, PAR SM8S, Unidirektional, 33 V, 53.3 V, DO-218AB, 2 Pin(s) tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-218AB rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Durchbruchspannung, min.: 36.7V Qualifikation: AEC-Q101 Durchbruchspannung, max.: 40.6V usEccn: EAR99 Sperrspannung: 33V euEccn: NLR Spitzenimpulsverlustleistung: 6.6kW TVS-Polarität: Unidirektional Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: PAR SM8S productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Klemmspannung, max.: 53.3V |
auf Bestellung 735 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SM8S33AHE3_A/I | Hersteller : Vishay |
TVS Diode Single Uni-Dir 33V 6.6KW Automotive 2-Pin(1+Tab) DO-218AB T/R |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |