SPB08P06PGATMA1
Produktcode: 161467
Hersteller: Gehäuse: D2PAK (TO263)
Uds,V: 60 V
Id,A: 8,8 A
Rds(on),Om: 0,3 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 335/10
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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SPB08P06PGATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 60V 8.8A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 6.2A, 10V Power Dissipation (Max): 42W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TO263-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420 pF @ 25 V |
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SPB08P06PGATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFET TRENCH 40<-<100V |
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