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SQ2310ES-T1_BE3

SQ2310ES-T1_BE3 Vishay Siliconix

sq2310es.pdf Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 485 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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Technische Details SQ2310ES-T1_BE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 20V 6A SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 2W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 485 pF @ 10 V, Qualification: AEC-Q101.

Weitere Produktangebote SQ2310ES-T1_BE3 nach Preis ab 0.74 EUR bis 2.1 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis ohne MwSt
SQ2310ES-T1_BE3 SQ2310ES-T1_BE3 Hersteller : Vishay Siliconix sq2310es.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 485 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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SQ2310ES-T1_BE3 SQ2310ES-T1_BE3 Hersteller : Vishay / Siliconix sq2310es.pdf MOSFET N-CHANNEL 20V (D-S)
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500+ 1.05 EUR
1000+ 0.89 EUR
3000+ 0.78 EUR
6000+ 0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 25
SQ2310ES-T1_BE3 Hersteller : Vishay sq2310es.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 6A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
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Mindestbestellmenge: 3000
SQ2310ES-T1_BE3 Hersteller : Vishay sq2310es.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 6A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
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