SQ2315ES-T1_GE3 Vishay Siliconix
Hersteller: Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 12V 5A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 4 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Preis ohne MwSt |
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| 9000+ | 0.41 EUR |
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Technische Details SQ2315ES-T1_GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SQ2315ES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 5 A, 0.042 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 12V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 2W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2W, Bauform - Transistor: SOT-23, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.042ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).
Weitere Produktangebote SQ2315ES-T1_GE3 nach Preis ab 0.31 EUR bis 1.4 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||
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SQ2315ES-T1_GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -5A; Idm: -20A; 0.67W; SOT23 Mounting: SMD Polarisation: unipolar Case: SOT23 Application: automotive industry Pulsed drain current: -20A Power dissipation: 0.67W Gate charge: 13nC Drain current: -5A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: -12V Type of transistor: P-MOSFET Gate-source voltage: ±8V Kind of package: reel; tape On-state resistance: 75mΩ Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 1968 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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SQ2315ES-T1_GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -5A; Idm: -20A; 0.67W; SOT23 Mounting: SMD Polarisation: unipolar Case: SOT23 Application: automotive industry Pulsed drain current: -20A Power dissipation: 0.67W Gate charge: 13nC Drain current: -5A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: -12V Type of transistor: P-MOSFET Gate-source voltage: ±8V Kind of package: reel; tape On-state resistance: 75mΩ |
auf Bestellung 1968 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SQ2315ES-T1_GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 12V 5A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.5A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 4 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
auf Bestellung 19618 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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SQ2315ES-T1_GE3 | Hersteller : Vishay / Siliconix |
MOSFET P-Channel 12V AEC-Q101 Qualified |
auf Bestellung 127457 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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SQ2315ES-T1_GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SQ2315ES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 5 A, 0.042 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 12V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 2W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: SOT-23 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.042ohm Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
auf Bestellung 8834 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SQ2315ES-T1_GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 12V 5A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SQ2315ES-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 12V 5A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R |
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