SQ2319ES-T1-GE3
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Hersteller:SQ2319ES MOSFET P-CH 40V 4.6A TO-236
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Technische Details SQ2319ES-T1-GE3
Description: MOSFET P-CH 40V 4.6A TO-236, Drain to Source Voltage (Vdss): 40V, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Part Status: Obsolete, Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $), Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3A, 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 10V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620pF @ 25V, Mounting Type: Surface Mount, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3.
Preis SQ2319ES-T1-GE3 ab 1.28 EUR bis 1.28 EUR
 Hersteller: Vishay Siliconix Description: MOSFET P-CH D-S 40V TO-236 Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Power - Max: 3W Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620pF @ 25V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V FET Feature: Logic Level Gate FET Type: MOSFET P-Channel, Metal Oxide Mounting Type: Surface Mount
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 Hersteller: Vishay Siliconix Description: MOSFET P-CH 40V 4.6A TO-236 Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Part Status: Obsolete Packaging: Cut Tape (CT) Mounting Type: Surface Mount Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620pF @ 25V
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Hersteller: Vishay Siliconix Description: MOSFET P-CH 40V 4.6A TO-236 Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Part Status: Obsolete Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620pF @ 25V Mounting Type: Surface Mount Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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