SQ2325ES-T1_GE3 VISHAY
Hersteller: VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -150V; -1A; Idm: -2A; 1W; SOT23
Mounting: SMD
Case: SOT23
Power dissipation: 1W
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
Polarisation: unipolar
Gate charge: 10nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -2A
Drain-source voltage: -150V
Drain current: -1A
On-state resistance: 4.4Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 59+ | 1.22 EUR |
| 70+ | 1.03 EUR |
| 79+ | 0.92 EUR |
| 200+ | 0.36 EUR |
| 211+ | 0.34 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details SQ2325ES-T1_GE3 VISHAY
Description: VISHAY - SQ2325ES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 840 mA, 1.3 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 840mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3W, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.3ohm, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).
Weitere Produktangebote SQ2325ES-T1_GE3 nach Preis ab 0.34 EUR bis 1.5 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SQ2325ES-T1_GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -150V; -1A; Idm: -2A; 1W; SOT23 Mounting: SMD Case: SOT23 Power dissipation: 1W Kind of package: reel; tape Application: automotive industry Polarisation: unipolar Gate charge: 10nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -2A Drain-source voltage: -150V Drain current: -1A On-state resistance: 4.4Ω Type of transistor: P-MOSFET |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
 |
SQ2325ES-T1_GE3 | Hersteller : Vishay Semiconductors |
MOSFET P-Chnl 150-V (D-S) AEC-Q101 Qualified |
auf Bestellung 202945 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
|
||||||||||||||
 |
SQ2325ES-T1_GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SQ2325ES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 840 mA, 1.3 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 840mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 3W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.3ohm SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
auf Bestellung 8788 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||
|
|
SQ2325ES-T1_GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SQ2325ES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 840 mA, 1.3 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 840mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 3W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.3ohm SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
auf Bestellung 2843 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||
|
SQ2325ES-T1_GE3 Produktcode: 164123 |
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld |
Produkt ist nicht verfügbar
|
|||||||||||||||||
 |
SQ2325ES-T1_GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 150V 1A Automotive 3-Pin TO-236 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||||
|
|
SQ2325ES-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 150V 1A Automotive 3-Pin TO-236 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||||
 |
SQ2325ES-T1_GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 150V 840MA TO236 |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||||
|
|
SQ2325ES-T1_GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 150V 840MA TO236 |
Produkt ist nicht verfügbar |