SQ2361AEES-T1_GE3

SQ2361AEES-T1_GE3

Hersteller: VISHAY
Material: SQ2361AEES-T1-GE3 SMD P channel transistors
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Technische Details SQ2361AEES-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 60V 2.5A SSOT23, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Part Status: Active, Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TA), Power Dissipation (Max): 2W (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620pF @ 30V, Vgs (Max): ±20V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 2.4A, 10V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V.

Preis SQ2361AEES-T1_GE3 ab 0 EUR bis 0 EUR

SQ2361AEES-T1_GE3
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 2.8A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
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SQ2361AEES-T1_GE3
Hersteller: VISHAY
Material: SQ2361AEES-T1-GE3 SMD P channel transistors
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SQ2361AEES-T1_GE3
SQ2361AEES-T1_GE3
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFET -60V Vds +/-20V Vgs AEC-Q101 Qualified
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 60V 2.8A SSOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TA)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 30 V
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SQ2361AEES-T1_GE3
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 60V 2.8A SSOT23
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 2.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TA)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 30 V
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 60V 2.5A SSOT23
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Part Status: Active
Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TA)
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620pF @ 30V
Vgs (Max): ±20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 2.4A, 10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
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