SQ2361EES-T1-GE3
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Hersteller:SQ2361EES-T1-GE3 MOSFET P-CH 60V 2.5A SSOT23
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Technische Details SQ2361EES-T1-GE3
Description: MOSFET P-CH 60V 2.5A SOT23, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Power - Max: 2W, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 545pF @ 30V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150 mOhm @ 2.4A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, FET Type: MOSFET P-Channel, Metal Oxide.
Preis SQ2361EES-T1-GE3 ab 0 EUR bis 0 EUR
 Hersteller: Vishay Siliconix Description: MOSFET P-CH 60V 2.5A SOT23 Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Power - Max: 2W Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 545pF @ 30V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150 mOhm @ 2.4A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V FET Type: MOSFET P-Channel, Metal Oxide
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Hersteller: Vishay Siliconix Description: MOSFET P-CH 60V 2.5A SOT23 FET Type: MOSFET P-Channel, Metal Oxide Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Power - Max: 2W Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 545pF @ 30V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150 mOhm @ 2.4A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
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Hersteller: Vishay Siliconix Description: MOSFET P-CH 60V 2.5A SOT23 FET Type: MOSFET P-Channel, Metal Oxide Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Power - Max: 2W Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 545pF @ 30V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150 mOhm @ 2.4A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
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