SQ2361EES-T1-GE3
Informationen zu Lagerverfügbarkeit und Lieferzeiten
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
Technische Details SQ2361EES-T1-GE3
Description: MOSFET P-CH 60V 2.5A SOT23, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Power - Max: 2W, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 545pF @ 30V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150 mOhm @ 2.4A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, FET Type: MOSFET P-Channel, Metal Oxide.
Preis SQ2361EES-T1-GE3 ab 0 EUR bis 0 EUR
SQ2361EES-T1-GE3 Hersteller: Vishay Siliconix Description: MOSFET P-CH 60V 2.5A SOT23 Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Power - Max: 2W Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 545pF @ 30V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150 mOhm @ 2.4A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V FET Type: MOSFET P-Channel, Metal Oxide ![]() |
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen |
|
|
SQ2361EES-T1-GE3 Hersteller: Vishay Siliconix Description: MOSFET P-CH 60V 2.5A SOT23 FET Type: MOSFET P-Channel, Metal Oxide Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Power - Max: 2W Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 545pF @ 30V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150 mOhm @ 2.4A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V ![]() |
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen |
|
|
SQ2361EES-T1-GE3 Hersteller: Vishay Siliconix Description: MOSFET P-CH 60V 2.5A SOT23 FET Type: MOSFET P-Channel, Metal Oxide Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Power - Max: 2W Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 545pF @ 30V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150 mOhm @ 2.4A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V ![]() |
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen |
|