SQ2364EES-T1_GE3 Vishay Siliconix
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Description: MOSFET N-CH 60V 2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl | Preis ohne MwSt |
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3000+ | 0.52 EUR |
6000+ | 0.49 EUR |
9000+ | 0.46 EUR |
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Technische Details SQ2364EES-T1_GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SQ2364EES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2 A, 0.19 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3W, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).
Weitere Produktangebote SQ2364EES-T1_GE3 nach Preis ab 0.23 EUR bis 1.53 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||||||
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SQ2364EES-T1_GE3 | Hersteller : Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 2A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 2020 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SQ2364EES-T1_GE3 | Hersteller : Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 2A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 27000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SQ2364EES-T1_GE3 | Hersteller : Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 2A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 3020 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SQ2364EES-T1_GE3 | Hersteller : Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 2A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 3020 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SQ2364EES-T1_GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.3A; 1W; SOT23 Mounting: SMD Power dissipation: 1W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: ESD protected gate Gate charge: 2nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±8V Case: SOT23 Drain-source voltage: 60V Drain current: 1.3A On-state resistance: 245mΩ Type of transistor: N-MOSFET Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 1764 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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SQ2364EES-T1_GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.3A; 1W; SOT23 Mounting: SMD Power dissipation: 1W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: ESD protected gate Gate charge: 2nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±8V Case: SOT23 Drain-source voltage: 60V Drain current: 1.3A On-state resistance: 245mΩ Type of transistor: N-MOSFET |
auf Bestellung 1764 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SQ2364EES-T1_GE3 | Hersteller : Vishay Semiconductors | MOSFET 60V Vds; +/-8V Vgs SOT-23; 4A Id |
auf Bestellung 158968 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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SQ2364EES-T1_GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 60V 2A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
auf Bestellung 26138 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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SQ2364EES-T1_GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SQ2364EES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2 A, 0.19 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV euEccn: NLR Verlustleistung: 3W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
auf Bestellung 7863 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SQ2364EES-T1_GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SQ2364EES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2 A, 0.19 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV euEccn: NLR Verlustleistung: 3W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
auf Bestellung 7863 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SQ2364EES-T1_GE3 | Hersteller : Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 2A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SQ2364EES-T1 GE3 | Hersteller : Vishay | Vishay 60V N-CHANNEL (D-S) |
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