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SQ2364EES-T1_GE3

SQ2364EES-T1_GE3 Vishay Siliconix


sq2364ees.pdf Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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Technische Details SQ2364EES-T1_GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SQ2364EES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2 A, 0.19 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3W, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).

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SQ2364EES-T1_GE3 SQ2364EES-T1_GE3 Hersteller : Vishay sq2364ees.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 2A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
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295+0.54 EUR
313+ 0.49 EUR
314+ 0.47 EUR
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Mindestbestellmenge: 295
SQ2364EES-T1_GE3 SQ2364EES-T1_GE3 Hersteller : Vishay sq2364ees.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 2A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
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SQ2364EES-T1_GE3 SQ2364EES-T1_GE3 Hersteller : Vishay sq2364ees.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 2A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
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193+0.82 EUR
195+ 0.78 EUR
277+ 0.53 EUR
280+ 0.51 EUR
500+ 0.38 EUR
1000+ 0.31 EUR
3000+ 0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 193
SQ2364EES-T1_GE3 SQ2364EES-T1_GE3 Hersteller : Vishay sq2364ees.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 2A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
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Anzahl Preis ohne MwSt
162+0.98 EUR
191+ 0.8 EUR
193+ 0.76 EUR
195+ 0.72 EUR
277+ 0.49 EUR
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Mindestbestellmenge: 162
SQ2364EES-T1_GE3 SQ2364EES-T1_GE3 Hersteller : VISHAY sq2364ees.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.3A; 1W; SOT23
Mounting: SMD
Power dissipation: 1W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Gate charge: 2nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Case: SOT23
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 1.3A
On-state resistance: 245mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1764 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
60+1.2 EUR
118+ 0.61 EUR
133+ 0.54 EUR
161+ 0.44 EUR
171+ 0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 60
SQ2364EES-T1_GE3 SQ2364EES-T1_GE3 Hersteller : VISHAY sq2364ees.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.3A; 1W; SOT23
Mounting: SMD
Power dissipation: 1W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Gate charge: 2nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Case: SOT23
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 1.3A
On-state resistance: 245mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
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118+ 0.61 EUR
133+ 0.54 EUR
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Mindestbestellmenge: 60
SQ2364EES-T1_GE3 SQ2364EES-T1_GE3 Hersteller : Vishay Semiconductors sq2364ees.pdf MOSFET 60V Vds; +/-8V Vgs SOT-23; 4A Id
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1000+ 0.6 EUR
3000+ 0.55 EUR
9000+ 0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 35
SQ2364EES-T1_GE3 SQ2364EES-T1_GE3 Hersteller : Vishay Siliconix sq2364ees.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 26138 Stücke:
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Anzahl Preis ohne MwSt
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500+ 0.71 EUR
1000+ 0.58 EUR
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SQ2364EES-T1_GE3 SQ2364EES-T1_GE3 Hersteller : VISHAY 2611857.pdf Description: VISHAY - SQ2364EES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2 A, 0.19 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 7863 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
SQ2364EES-T1_GE3 SQ2364EES-T1_GE3 Hersteller : VISHAY 2611857.pdf Description: VISHAY - SQ2364EES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2 A, 0.19 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
SQ2364EES-T1_GE3 SQ2364EES-T1_GE3 Hersteller : Vishay sq2364ees.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 2A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
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SQ2364EES-T1 GE3 Hersteller : Vishay Vishay 60V N-CHANNEL (D-S)
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