SQ2389ES-T1_BE3

SQ2389ES-T1_BE3

Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 40V 4.1A Automotive
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Technische Details SQ2389ES-T1_BE3

Description: MOSFET P-CH 40V 4.1A SOT23-3, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420 pF @ 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 3W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94mOhm @ 10A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Tc), FET Type: P-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Packaging: Tape & Reel (TR).

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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 40V 4.1A Automotive
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SQ2389ES-T1_BE3
SQ2389ES-T1_BE3
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFET P-CHANNEL 40V (D-S)
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SQ2389ES-T1_BE3
SQ2389ES-T1_BE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 40V 4.1A SOT23-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
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SQ2389ES-T1_BE3
SQ2389ES-T1_BE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 40V 4.1A SOT23-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420 pF @ 20 V
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