SQ4282EY-T1_BE3 Vishay Siliconix
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Technische Details SQ4282EY-T1_BE3 Vishay Siliconix
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 8A; Idm: 32A, Type of transistor: N-MOSFET x2, Technology: TrenchFET®, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 30V, Drain current: 8A, Pulsed drain current: 32A, Power dissipation: 3.9W, Case: SO8, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 21mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 47nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhanced, Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke.
Weitere Produktangebote SQ4282EY-T1_BE3 nach Preis ab 1.38 EUR bis 3.95 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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SQ4282EY-T1_BE3 | Hersteller : Vishay Semiconductors | MOSFET DUAL N-CHANNEL 30V |
auf Bestellung 21028 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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SQ4282EY-T1_BE3 | Hersteller : Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2 N-CHANNEL 30V 8A 8SOIC |
auf Bestellung 2608 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| SQ4282EY-T1_BE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 8A; Idm: 32A Type of transistor: N-MOSFET x2 Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 8A Pulsed drain current: 32A Power dissipation: 3.9W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 21mΩ Mounting: SMD Gate charge: 47nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke |
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| SQ4282EY-T1_BE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 8A; Idm: 32A Type of transistor: N-MOSFET x2 Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 8A Pulsed drain current: 32A Power dissipation: 3.9W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 21mΩ Mounting: SMD Gate charge: 47nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
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