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SQ4284EY-T1_BE3

SQ4284EY-T1_BE3 Vishay Siliconix

doc?67334 Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 40V 8A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.9W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2500 Stücke:
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Technische Details SQ4284EY-T1_BE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SQ4284EY-T1"BE3 - MOSFET, DUAL, N-CH, 40V, 8A, SOIC, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 0, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 0, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 0, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0, Verlustleistung, p-Kanal: 0, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 0, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 0, Produktpalette: TrenchFET Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0, productTraceability: No, Kanaltyp: N Channel, Verlustleistung, n-Kanal: 0, Betriebstemperatur, max.: 0, directShipCharge: 25, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).

Weitere Produktangebote SQ4284EY-T1_BE3 nach Preis ab 1.64 EUR bis 3.85 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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SQ4284EY-T1_BE3 SQ4284EY-T1_BE3 Hersteller : Vishay Semiconductors doc?67334 MOSFET DUAL N-CHANNEL 40V
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1000+ 1.79 EUR
2500+ 1.64 EUR
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SQ4284EY-T1_BE3 SQ4284EY-T1_BE3 Hersteller : Vishay Siliconix doc?67334 Description: MOSFET 2N-CH 40V 8A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.9W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 5062 Stücke:
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7+3.85 EUR
10+ 3.18 EUR
100+ 2.53 EUR
500+ 2.14 EUR
1000+ 1.82 EUR
Mindestbestellmenge: 7
SQ4284EY-T1"BE3 SQ4284EY-T1"BE3 Hersteller : VISHAY VISH-S-A0004852715-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SQ4284EY-T1"BE3 - MOSFET, DUAL, N-CH, 40V, 8A, SOIC
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 0
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 0
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0
Verlustleistung, p-Kanal: 0
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 0
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 0
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0
productTraceability: No
Kanaltyp: N Channel
Verlustleistung, n-Kanal: 0
Betriebstemperatur, max.: 0
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)