SQ4401EY-T1_GE3 Vishay Siliconix
Hersteller: Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 40V 17.3A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.14W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4250 pF @ 20 V
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Preis ohne MwSt |
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| 2500+ | 3.05 EUR |
| 5000+ | 2.94 EUR |
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Technische Details SQ4401EY-T1_GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SQ4401EY-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 17.3 A, 0.011 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 17.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 7.14W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 6Pins, Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm.
Weitere Produktangebote SQ4401EY-T1_GE3 nach Preis ab 1.83 EUR bis 6.81 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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SQ4401EY-T1_GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 40V 17.3A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC N T/R |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SQ4401EY-T1_GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 40V 17.3A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10.5A, 10V Power Dissipation (Max): 7.14W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4250 pF @ 20 V |
auf Bestellung 17252 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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SQ4401EY-T1_GE3 | Hersteller : Vishay Semiconductors |
MOSFET 40V 17.3A 7.14W AEC-Q101 Qualified |
auf Bestellung 40233 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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SQ4401EY-T1_GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SQ4401EY-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 17.3 A, 0.011 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 17.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 7.14W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 6Pins Produktpalette: TrenchFET productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm |
auf Bestellung 25895 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SQ4401EY-T1_GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SQ4401EY-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 17.3 A, 0.011 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 17.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 7.14W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 6Pins Produktpalette: TrenchFET productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm |
auf Bestellung 25895 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SQ4401EY-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 40V 17.3A Automotive 8-Pin SOIC N T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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SQ4401EY-T1_GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 40V 17.3A Automotive 8-Pin SOIC N T/R |
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SQ4401EY-T1_GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 40V 17.3A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC N T/R |
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SQ4401EY-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 40V 17.3A 8SOIC |
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SQ4401EY-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Semiconductors |
MOSFET RECOMMENDED ALT SQ4401EY-T1_GE3 |
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