SQ4917EY-T1_BE3 Vishay
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| 500+ | 1.19 EUR |
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Technische Details SQ4917EY-T1_BE3 Vishay
Description: VISHAY - SQ4917EY-T1"BE3 - MOSFET, DUAL, P-CH, 60V, 8A, SOIC, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 0, hazardous: false, Qualifikation: AEC-Q101, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 0, usEccn: EAR99, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 0, Verlustleistung, p-Kanal: 0, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 0, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 0, Produktpalette: TrenchFET Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0, productTraceability: No, Kanaltyp: P Channel, Verlustleistung, n-Kanal: 0, Betriebstemperatur, max.: 0, directShipCharge: 25, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).
Weitere Produktangebote SQ4917EY-T1_BE3 nach Preis ab 0.8 EUR bis 3.61 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||||
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SQ4917EY-T1_BE3 | Hersteller : Vishay |
 Trans MOSFET P-CH 60V 8A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC N T/R |
auf Bestellung 2018 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SQ4917EY-T1_BE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2P-CH 60V 8A 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 5W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1910pF @ 30V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 4.3A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
auf Bestellung 20000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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SQ4917EY-T1_BE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 8A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC N T/R |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SQ4917EY-T1_BE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 8A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC N T/R |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SQ4917EY-T1_BE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2P-CH 60V 8A 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 5W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1910pF @ 30V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 4.3A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
auf Bestellung 22938 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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SQ4917EY-T1_BE3 | Hersteller : Vishay Semiconductors |
MOSFET Dual P-CHANNEL 60 V |
auf Bestellung 41589 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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SQ4917EY-T1"BE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SQ4917EY-T1"BE3 - MOSFET, DUAL, P-CH, 60V, 8A, SOIC Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 0 hazardous: false Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 0 usEccn: EAR99 Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 0 Verlustleistung, p-Kanal: 0 Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 0 euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 0 Produktpalette: TrenchFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0 productTraceability: No Kanaltyp: P Channel Verlustleistung, n-Kanal: 0 Betriebstemperatur, max.: 0 directShipCharge: 25 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
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