SQA405EJ-T1_GE3 Vishay Semiconductors
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Technische Details SQA405EJ-T1_GE3 Vishay Semiconductors
Description: VISHAY - SQA405EJ-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 10 A, 0.027 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 10A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 13.6W, Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).
Weitere Produktangebote SQA405EJ-T1_GE3 nach Preis ab 0.66 EUR bis 1.69 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||
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SQA405EJ-T1_GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET P-CH 40V 10A PPAK SC70-6 |
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SQA405EJ-T1_GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SQA405EJ-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 10 A, 0.027 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 13.6W Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
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SQA405EJ-T1_GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SQA405EJ-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 10 A, 0.027 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 13.6W Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
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SQA405EJ-T1_GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 40V 10A PPAK SC70-6 |
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