SQA470EEJ-T1_GE3 Vishay / Siliconix
auf Bestellung 4480 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 44+ | 1.19 EUR |
| 51+ | 1.02 EUR |
| 100+ | 0.78 EUR |
| 500+ | 0.63 EUR |
| 1000+ | 0.52 EUR |
| 3000+ | 0.47 EUR |
| 9000+ | 0.44 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details SQA470EEJ-T1_GE3 Vishay / Siliconix
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.25A; 13.6W; PowerPAK® SC70, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 30V, Drain current: 2.25A, Power dissipation: 13.6W, Case: PowerPAK® SC70, Gate-source voltage: ±12V, On-state resistance: 56mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 4.1nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhanced, Features of semiconductor devices: ESD protected gate, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
Weitere Produktangebote SQA470EEJ-T1_GE3 nach Preis ab 1.02 EUR bis 1.59 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SQA470EEJ-T1_GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET N-CH 30V 2.25A PPAK SC70 |
auf Bestellung 127 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
|
||||||||
| SQA470EEJ-T1_GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.25A; 13.6W; PowerPAK® SC70 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 2.25A Power dissipation: 13.6W Case: PowerPAK® SC70 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 56mΩ Mounting: SMD Gate charge: 4.1nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
||||||||||
|
|
SQA470EEJ-T1_GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V 2.25A PPAK SC70 |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||
| SQA470EEJ-T1_GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.25A; 13.6W; PowerPAK® SC70 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 2.25A Power dissipation: 13.6W Case: PowerPAK® SC70 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 56mΩ Mounting: SMD Gate charge: 4.1nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate |
Produkt ist nicht verfügbar |