SQD15N06-42L-GE3
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Technische Details SQD15N06-42L-GE3
Description: MOSFET N-CH 60V 15A, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Supplier Device Package: TO-252, (D-Pak), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Power Dissipation (Max): 37W (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 535pF @ 25V, Vgs (Max): ±20V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 10A, 10V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Part Status: Active, Packaging: Tape & Reel (TR).
Preis SQD15N06-42L-GE3 ab 0 EUR bis 0 EUR
 Hersteller: Vishay / Siliconix MOSFET 60V 15A 37W AEC-Q101 Qualified 
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auf Bestellung 650 Stücke  Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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SQD15N06-42L-GE3 Hersteller: Vishay Trans MOSFET N-CH 60V 15A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK
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 Hersteller: Vishay Siliconix Description: MOSFET N-CH 60V 15A TO252 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Power - Max: 37W Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 535pF @ 25V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 10A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V FET Type: MOSFET N-Channel, Metal Oxide Supplier Device Package: TO-252, (D-Pak) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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 Hersteller: Vishay Siliconix Description: MOSFET N-CH 60V 15A Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Supplier Device Package: TO-252, (D-Pak) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Power Dissipation (Max): 37W (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 535pF @ 25V Vgs (Max): ±20V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 10A, 10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Part Status: Active Packaging: Tape & Reel (TR)
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Hersteller: Vishay Siliconix Description: MOSFET N-CH 60V 15A Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Power Dissipation (Max): 37W (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 535pF @ 25V Vgs (Max): ±20V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 10A, 10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Part Status: Active Packaging: Cut Tape (CT) Supplier Device Package: TO-252, (D-Pak) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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auf Bestellung 917 Stücke Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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