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SQD25N06-22L_GE3

SQD25N06-22L_GE3 Vishay Siliconix


sqd25n06-22l.pdf Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 25A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1975 pF @ 25 V
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Technische Details SQD25N06-22L_GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SQD25N06-22L_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 25 A, 0.018 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 25A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 62W, Bauform - Transistor: TO-252AA, Anzahl der Pins: 3Pins, Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm.

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SQD25N06-22L_GE3 SQD25N06-22L_GE3 Hersteller : Vishay Siliconix sqd25n06-22l.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 25A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1975 pF @ 25 V
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SQD25N06-22L_GE3 SQD25N06-22L_GE3 Hersteller : Vishay / Siliconix sqd25n06-22l.pdf MOSFET 60V 25A 62W AEC-Q101 Qualified
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16+ 3.25 EUR
100+ 2.51 EUR
500+ 2.13 EUR
1000+ 1.74 EUR
2000+ 1.67 EUR
4000+ 1.59 EUR
Mindestbestellmenge: 14
SQD25N06-22L_GE3 SQD25N06-22L_GE3 Hersteller : VISHAY sqd25n06-22l.pdf Description: VISHAY - SQD25N06-22L_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 25 A, 0.018 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
SQD25N06-22L_GE3 SQD25N06-22L_GE3 Hersteller : VISHAY sqd25n06-22l.pdf Description: VISHAY - SQD25N06-22L_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 25 A, 0.018 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
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SQD25N06-22L_GE3 SQD25N06-22L_GE3 Hersteller : Vishay sqd25n06-22l.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 25A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK
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