SQD40031EL_GE3 VISHAY
Hersteller: VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -94A; 45W; DPAK,TO252
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -94A
Power dissipation: 45W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 186nC
Kind of channel: enhanced
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| Anzahl | Preis ohne MwSt |
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| 33+ | 2.2 EUR |
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Technische Details SQD40031EL_GE3 VISHAY
Description: VISHAY - SQD40031EL_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 100 A, 0.00263 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 136W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 136W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00263ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00263ohm, SVHC: Lead (19-Jan-2021).
Weitere Produktangebote SQD40031EL_GE3 nach Preis ab 1.36 EUR bis 3.87 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||
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SQD40031EL_GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -94A; 45W; DPAK,TO252 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -94A Power dissipation: 45W Case: DPAK; TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.2mΩ Mounting: SMD Gate charge: 186nC Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 1972 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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SQD40031EL_GE3 | Hersteller : Vishay Semiconductors |
MOSFET -30V Vds 20V Vgs DPAK (TO-252) |
auf Bestellung 29730 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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SQD40031EL_GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SQD40031EL_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 100 A, 0.00263 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 136W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 136W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00263ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00263ohm SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
auf Bestellung 3204 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SQD40031EL_GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-252AA |
Produkt ist nicht verfügbar |
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SQD40031EL_GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 30V 100A TO252AA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 136W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 280 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15000 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
Produkt ist nicht verfügbar |
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SQD40031EL_GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 30V 100A TO252AA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 136W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 280 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15000 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
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