SQD40031EL_GE3

SQD40031EL_GE3

Hersteller: VISHAY
Material: SQD40031EL-GE3 SMD P channel transistors
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Technische Details SQD40031EL_GE3

Description: MOSFET P-CH 30V 100A TO252AA, Supplier Device Package: TO-252AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Power Dissipation (Max): 136W (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15000pF @ 25V, Vgs (Max): ±20V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 280nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 30A, 10V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Part Status: Active, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63.

Preis SQD40031EL_GE3 ab 0 EUR bis 0 EUR

SQD40031EL_GE3
SQD40031EL_GE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-252AA
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Hersteller: VISHAY
Material: SQD40031EL-GE3 SMD P channel transistors
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-252AA
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SQD40031EL_GE3
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFET -30V Vds 20V Vgs DPAK (TO-252)
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auf Bestellung 75595 Stücke
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
SQD40031EL_GE3
SQD40031EL_GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 100A TO252AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15000pF @ 25V
Vgs (Max): ±20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 280nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 30A, 10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Part Status: Active
Packaging: Cut Tape (CT)
Supplier Device Package: TO-252AA
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 100A TO252AA
Supplier Device Package: TO-252AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15000pF @ 25V
Vgs (Max): ±20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 280nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 30A, 10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Part Status: Active
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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