SQD40131EL_GE3
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Technische Details SQD40131EL_GE3
Description: MOSFET P-CHAN 40V D-S TO-252, Base Part Number: SQD40131, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Supplier Device Package: TO-252AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Power Dissipation (Max): 62W (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600pF @ 25V, Vgs (Max): ±20V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 30A, 10V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 40V, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Part Status: Active, Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $).
Preis SQD40131EL_GE3 ab 0.77 EUR bis 1.87 EUR
 Hersteller: Vishay Trans MOSFET P-CH 40V 50A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK 
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SQD40131EL_GE3 Hersteller: Vishay
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2000 Stücke |
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SQD40131EL_GE3 Hersteller: Vishay Trans MOSFET P-CH 40V 50A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK
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SQD40131EL_GE3 Hersteller: Vishay Trans MOSFET P-CH 40V 50A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK
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 Hersteller: Vishay / Siliconix MOSFET -40V Vds -/+20V Vgs AEC-Q101 Qualified
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 Hersteller: Vishay Siliconix Description: MOSFET P-CHAN 40V D-S TO-252 Base Part Number: SQD40131 Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Supplier Device Package: TO-252AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Power Dissipation (Max): 62W (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600pF @ 25V Vgs (Max): ±20V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 30A, 10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Part Status: Active Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $)
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Hersteller: Vishay Siliconix Description: MOSFET P-CH 40V 50A TO252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-252AA Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 62W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 30A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) FET Type: P-Channel Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) Vgs (Max): ±20V
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Hersteller: Vishay Siliconix Description: MOSFET P-CH 40V 50A TO252AA Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-252AA Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 62W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 30A, 10V Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 10 V
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