SQD40131EL_GE3

SQD40131EL_GE3

Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 40V 50A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK
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Technische Details SQD40131EL_GE3

Description: MOSFET P-CHAN 40V D-S TO-252, Base Part Number: SQD40131, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Supplier Device Package: TO-252AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Power Dissipation (Max): 62W (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600pF @ 25V, Vgs (Max): ±20V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 30A, 10V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 40V, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Part Status: Active, Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $).

Preis SQD40131EL_GE3 ab 0.77 EUR bis 1.87 EUR

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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 40V 50A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK
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Trans MOSFET P-CH 40V 50A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK
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Trans MOSFET P-CH 40V 50A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK
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Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFET -40V Vds -/+20V Vgs AEC-Q101 Qualified
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SQD40131EL_GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CHAN 40V D-S TO-252
Base Part Number: SQD40131
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Supplier Device Package: TO-252AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600pF @ 25V
Vgs (Max): ±20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 30A, 10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Part Status: Active
Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $)
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SQD40131EL_GE3
SQD40131EL_GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 40V 50A TO252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
FET Type: P-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Vgs (Max): ±20V
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SQD40131EL_GE3
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 40V 50A TO252AA
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 30A, 10V
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 10 V
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