Produkte > VISHAY SILICONIX > SQD45P03-12_GE3
SQD45P03-12_GE3

SQD45P03-12_GE3 Vishay Siliconix

sqd45p03.pdf Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 50A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3495 pF @ 15 V
auf Bestellung 14000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
2000+2.11 EUR
6000+ 2.03 EUR
10000+ 1.98 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details SQD45P03-12_GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SQD45P03-12_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 50 A, 0.008 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 71W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm.

Weitere Produktangebote SQD45P03-12_GE3 nach Preis ab 1.9 EUR bis 4.6 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis ohne MwSt
SQD45P03-12_GE3 SQD45P03-12_GE3 Hersteller : Vishay / Siliconix sqd45p03.pdf MOSFET 30V 50A 71W AEC-Q101 Qualified
auf Bestellung 24471 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
13+4.13 EUR
14+ 3.74 EUR
100+ 2.99 EUR
500+ 2.48 EUR
1000+ 2.04 EUR
2000+ 1.94 EUR
24000+ 1.9 EUR
Mindestbestellmenge: 13
SQD45P03-12_GE3 SQD45P03-12_GE3 Hersteller : Vishay Siliconix sqd45p03.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 50A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3495 pF @ 15 V
auf Bestellung 16284 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
6+4.6 EUR
10+ 4.14 EUR
100+ 3.33 EUR
500+ 2.73 EUR
1000+ 2.26 EUR
Mindestbestellmenge: 6
SQD45P03-12_GE3 SQD45P03-12_GE3 Hersteller : VISHAY sqd45p03.pdf Description: VISHAY - SQD45P03-12_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 50 A, 0.008 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm
auf Bestellung 4010 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
SQD45P03-12_GE3 SQD45P03-12_GE3 Hersteller : VISHAY SQD45P03-12.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -37A; 23W; DPAK,TO252
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -37A
Power dissipation: 23W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 55.3nC
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
SQD45P03-12_GE3 SQD45P03-12_GE3 Hersteller : VISHAY SQD45P03-12.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -37A; 23W; DPAK,TO252
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -37A
Power dissipation: 23W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 55.3nC
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar