SQD50P04-09L_GE3
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Technische Details SQD50P04-09L_GE3
Description: MOSFET P-CH 40V 50A, Drain to Source Voltage (Vdss): 40V, Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $), Part Status: Active, FET Type: P-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Supplier Device Package: TO-252, (D-Pak), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Power Dissipation (Max): 136W (Tc), Vgs (Max): ±20V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6675pF @ 20V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155nC @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 17A, 10V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc).
Preis SQD50P04-09L_GE3 ab 0 EUR bis 0 EUR
 Hersteller: Vishay / Siliconix MOSFET 40V 50A 136W AEC-Q101 Qualified 
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auf Bestellung 11390 Stücke  Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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 Hersteller: Vishay Siliconix Description: MOSFET P-CH 40V 50A TO252 Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6675 pF @ 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-252AA Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 136W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 17A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount
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Hersteller: Vishay Siliconix Description: MOSFET P-CH 40V 50A TO252 Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6675 pF @ 20 V Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-252AA Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 136W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 17A, 10V
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 Hersteller: Vishay Siliconix Description: MOSFET P-CH 40V 50A Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $) Part Status: Active FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Supplier Device Package: TO-252, (D-Pak) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Power Dissipation (Max): 136W (Tc) Vgs (Max): ±20V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6675pF @ 20V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155nC @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 17A, 10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
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auf Bestellung 2036 Stücke Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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 Hersteller: Vishay Siliconix Description: MOSFET P-CH 40V 50A TO252 Supplier Device Package: TO-252, (D-Pak) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Power - Max: 136W Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6675pF @ 20V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 17A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V FET Type: MOSFET P-Channel, Metal Oxide
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