SQD50P06-15L_GE3

SQD50P06-15L_GE3

Hersteller: VISHAY
Material: SQD50P06-15L-GE3 SMD P channel transistors
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Technische Details SQD50P06-15L_GE3

Description: MOSFET P-CH 60V 50A TO252, Base Part Number: SQD50, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Supplier Device Package: TO-252AA, Part Status: Active, Packaging: Tape & Reel (TR), Manufacturer: Vishay Siliconix, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Power Dissipation (Max): 136W (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5910pF @ 25V, Vgs (Max): ±20V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.5mOhm @ 17A, 10V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel.

Preis SQD50P06-15L_GE3 ab 0 EUR bis 0 EUR

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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 50A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-252AA
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 50A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-252AA
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Hersteller: VISHAY
Material: SQD50P06-15L-GE3 SMD P channel transistors
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Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFET 60V 50A 136W AEC-Q101 Qualified
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 50A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-252AA
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 50A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-252AA
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 60V 50A TO252
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Supplier Device Package: TO-252, (D-Pak)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.5mOhm @ 17A, 10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5910pF @ 25V
Vgs (Max): ±20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Part Status: Active
Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $)
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 60V 50A TO252
Base Part Number: SQD50
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Packaging: Tape & Reel (TR)
Manufacturer: Vishay Siliconix
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5910pF @ 25V
Vgs (Max): ±20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.5mOhm @ 17A, 10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 60V 50A TO252
Manufacturer: Vishay Siliconix
Base Part Number: SQD50
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Supplier Device Package: TO-252AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5910pF @ 25V
Vgs (Max): ±20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.5mOhm @ 17A, 10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Part Status: Active
Packaging: Cut Tape (CT)
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