SQJ138ELP-T1_GE3 Vishay Siliconix
Hersteller: Vishay SiliconixDescription: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 40 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 315A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6685 pF @ 25 V
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| Anzahl | Preis ohne MwSt |
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Technische Details SQJ138ELP-T1_GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SQJ138ELP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 315 A, 0.0012 ohm, PowerPAK SO-8L, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 315A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 500W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8L, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen IV, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0012ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012ohm.
Weitere Produktangebote SQJ138ELP-T1_GE3 nach Preis ab 1.45 EUR bis 4.06 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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SQJ138ELP-T1_GE3 | Hersteller : Vishay Semiconductors |
MOSFET N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET |
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SQJ138ELP-T1_GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 40 V (D-S) Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 315A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 500W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6685 pF @ 25 V |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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SQJ138ELP-T1_GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SQJ138ELP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 315 A, 0.0012 ohm, PowerPAK SO-8L, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 315A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 500W Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8L Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012ohm |
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SQJ138ELP-T1_GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SQJ138ELP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 315 A, 0.0012 ohm, PowerPAK SO-8L, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 315A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 500W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 500W Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8L Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0012ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012ohm |
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