SQJ402EP-T1_GE3 Vishay
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Technische Details SQJ402EP-T1_GE3 Vishay
Description: VISHAY - SQJ402EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 32 A, 0.009 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 32A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 83W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).
Weitere Produktangebote SQJ402EP-T1_GE3 nach Preis ab 1.24 EUR bis 3.64 EUR
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Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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SQJ402EP-T1_GE3 | Hersteller : Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 100V 32A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO EP T/R |
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SQJ402EP-T1_GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 100V 32A PPAK SO-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2289 pF @ 40 V Qualification: AEC-Q101 |
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SQJ402EP-T1_GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 32A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO EP T/R |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SQJ402EP-T1_GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 100V 32A PPAK SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2289 pF @ 40 V Qualification: AEC-Q101 |
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SQJ402EP-T1_GE3 | Hersteller : Vishay Semiconductors |
MOSFET 100V 32A 27watt AEC-Q101 Qualified |
auf Bestellung 37282 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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SQJ402EP-T1_GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SQJ402EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 32 A, 0.009 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 32A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 83W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
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SQJ402EP-T1_GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SQJ402EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 32 A, 0.009 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 32A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 83W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
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SQJ402EP-T1_GE3 Produktcode: 155826 |
Transistoren > MOSFET N-CH |
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SQJ402EP-T1_GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 32A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO EP T/R |
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SQJ402EP-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 32A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R |
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SQJ402EP-T1_GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 32A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R |
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| SQJ402EP-T1_GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 32A; 83W; PowerPAK® SO8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 32A Power dissipation: 83W Case: PowerPAK® SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 11mΩ Mounting: SMD Gate charge: 34nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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SQJ402EP-T1_GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 32A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO EP T/R |
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| SQJ402EP-T1_GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 32A; 83W; PowerPAK® SO8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 32A Power dissipation: 83W Case: PowerPAK® SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 11mΩ Mounting: SMD Gate charge: 34nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
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