SQJ469EP-T1_GE3 Vishay
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Technische Details SQJ469EP-T1_GE3 Vishay
Description: MOSFET P-CH 80V 32A PPAK SO-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SO-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 10.2A, 10V, Power Dissipation (Max): 100W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 40 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Weitere Produktangebote SQJ469EP-T1_GE3 nach Preis ab 3.14 EUR bis 6.76 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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SQJ469EP-T1_GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 80V 32A PPAK SO-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 10.2A, 10V Power Dissipation (Max): 100W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 40 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
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SQJ469EP-T1_GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 80V 32A PPAK SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 10.2A, 10V Power Dissipation (Max): 100W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 40 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
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SQJ469EP-T1_GE3 | Hersteller : Vishay / Siliconix | MOSFET 80V 32A 100W AEC-Q101 Qualified |
auf Bestellung 35414 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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SQJ469EP-T1_GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SQJ469EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 32 A, 0.021 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 32A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 100W Anzahl der Pins: 8Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm |
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SQJ469EP-T1_GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SQJ469EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 32 A, 0.021 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 32A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 100W Anzahl der Pins: 8Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm |
auf Bestellung 17794 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SQJ469EP-T1_GE3 | Hersteller : Vishay | Trans MOSFET P-CH 80V 32A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO EP T/R |
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SQJ469EP-T1_GE3 | Hersteller : Vishay | Trans MOSFET P-CH 80V 32A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO EP T/R |
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SQJ469EP-T1_GE3 | Hersteller : Vishay | Trans MOSFET P-CH 80V 32A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R |
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SQJ469EP-T1-GE3 | Hersteller : Vishay | Trans MOSFET P-CH 80V 32A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R |
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