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SQJ858AEP-T1_GE3

SQJ858AEP-T1_GE3 Vishay Siliconix


sqj858aep.pdf Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 58A PPAK SO-8
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Technische Details SQJ858AEP-T1_GE3 Vishay Siliconix

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 33A; 48W; PowerPAK® SO8, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 40V, Drain current: 33A, Power dissipation: 48W, Case: PowerPAK® SO8, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 6.3mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 36nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhanced, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.

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SQJ858AEP-T1_GE3 SQJ858AEP-T1_GE3 Hersteller : Vishay / Siliconix sqj858aep-1764507.pdf MOSFET 40V 58A 48W AEC-Q101 Qualified
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SQJ858AEP-T1_GE3 Hersteller : VISHAY SQJ858AEP.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 33A; 48W; PowerPAK® SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 33A
Power dissipation: 48W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Drain-source voltage: 40V
Drain current: 33A
Power dissipation: 48W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
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