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SQJ868EP-T1_GE3

SQJ868EP-T1_GE3 Vishay / Siliconix

sqj868ep.pdf Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFET Dual N-Ch 40V AEC-Q101 Qualified
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Technische Details SQJ868EP-T1_GE3 Vishay / Siliconix

Description: VISHAY - SQJ868EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 58 A, 0.0062 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 58A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 48W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pins, Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0062ohm.

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SQJ868EP-T1_GE3 SQJ868EP-T1_GE3 Hersteller : VISHAY sqj868ep.pdf Description: VISHAY - SQJ868EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 58 A, 0.0062 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
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Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: TrenchFET
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Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0062ohm
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SQJ868EP-T1_GE3 SQJ868EP-T1_GE3 Hersteller : Vishay Siliconix sqj868ep.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 58A POWERPAKSOL
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SQJ868EP-T1_GE3 SQJ868EP-T1_GE3 Hersteller : VISHAY sqj868ep.pdf Description: VISHAY - SQJ868EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 58 A, 0.0062 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
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Qualifikation: AEC-Q101
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Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: TrenchFET
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Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0062ohm
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