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SQJ910AEP-T1_GE3

SQJ910AEP-T1_GE3 Vishay / Siliconix

sqj910aep.pdf Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFET Dual N-Channel 30V AEC-Q101 Qualified
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Technische Details SQJ910AEP-T1_GE3 Vishay / Siliconix

Description: VISHAY - SQJ910AEP-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 30 A, 30 A, 0.0058 ohm, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 30A, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 30A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0058ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 48W, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0058ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 48W, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).

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SQJ910AEP-T1_GE3 SQJ910AEP-T1_GE3 Hersteller : VISHAY sqj910aep.pdf Description: VISHAY - SQJ910AEP-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 30 A, 30 A, 0.0058 ohm
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Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
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Verlustleistung, n-Kanal: 48W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
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SQJ910AEP-T1_GE3 SQJ910AEP-T1_GE3 Hersteller : VISHAY sqj910aep.pdf Description: VISHAY - SQJ910AEP-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 30 A, 30 A, 0.0058 ohm
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Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0058ohm
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Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 48W
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
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