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Technische Details SQJ940EP-T1_GE3 Vishay / Siliconix
Description: VISHAY - SQJ940EP-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 15 A, 15 A, 0.0133 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 15A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 15A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0133ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 48W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 8Pins, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0133ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Verlustleistung, n-Kanal: 48W, Betriebstemperatur, max.: 175°C.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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SQJ940EP-T1_GE3 | Hersteller : VISHAY |
 Description: VISHAY - SQJ940EP-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 15 A, 15 A, 0.0133 ohmtariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 15A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 15A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0133ohm Verlustleistung, p-Kanal: 48W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 8Pins Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0133ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Verlustleistung, n-Kanal: 48W Betriebstemperatur, max.: 175°C |
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SQJ940EP-T1_GE3 Produktcode: 180512 |
IC > IC andere |
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SQJ940EP-T1_GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2N-CH 40V 15A PPAK SO-8 |
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SQJ940EP-T1_GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2N-CH 40V 15A PPAK SO-8 |
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