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SQJ946EP-T1_GE3 Vishay / Siliconix

Name: SQJ946EP-T1_GE3
Brand: Vishay / Siliconix
SKU: 135642-4
Price: 0.58 EUR
Availability: InStock

Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFET N Ch 40Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

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Technische Details SQJ946EP-T1_GE3 Vishay / Siliconix

Description: VISHAY - SQJ946EP-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 15 A, 15 A, 0.027 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 15A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 15A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.027ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 27W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.027ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 27W, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: To Be Advised.

Weitere Produktangebote SQJ946EP-T1_GE3

Bezeichnung	Hersteller	Beschreibung	Verfügbarkeit
SQJ946EP-T1_GE3	Hersteller : Vishay Siliconix	Description: MOSFET 2 N-CH 40V POWERPAK SO8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 27W Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 7A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual Part Status: Active	auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e)
SQJ946EP-T1_GE3	Hersteller : VISHAY	Description: VISHAY - SQJ946EP-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 15 A, 15 A, 0.027 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 15A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 15A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.027ohm Verlustleistung, p-Kanal: 27W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.027ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 27W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: To Be Advised	auf Bestellung 10563 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)
SQJ946EP-T1_GE3	Hersteller : Vishay Siliconix	Description: MOSFET 2 N-CH 40V POWERPAK SO8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 27W Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 7A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual Part Status: Active	Produkt ist nicht verfügbar