SQJ951EP-T1_GE3

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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 30A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
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Technische Details SQJ951EP-T1-GE3

Description: MOSFET 2P-CH 30V 30A PPAK, Part Status: Active, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, FET Feature: Standard, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50nC @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 7.5A, 10V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680pF @ 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, FET Type: 2 P-Channel (Dual), Power - Max: 56W, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual, Packaging: Tape & Reel (TR).

Preis SQJ951EP-T1-GE3 ab 0 EUR bis 0 EUR

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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 30A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
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Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFET Dual P-Channel 30V AEC-Q101 Qualified
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auf Bestellung 21000 Stücke
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 30A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 30A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
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SQJ951EP-T1_GE3
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Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFET Dual P-Channel 30V AEC-Q101 Qualified
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auf Bestellung 10431 Stücke
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 30V 30A PPAK
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
FET Feature: Standard
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 7.5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
FET Type: 2 P-Channel (Dual)
Power - Max: 56W
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Packaging: Cut Tape (CT)
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SQJ951EP-T1_GE3
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 30V 30A PPAK
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
FET Feature: Standard
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 7.5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
FET Type: 2 P-Channel (Dual)
Power - Max: 56W
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Packaging: Tape & Reel (TR)
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