SQJ952EP-T1_GE3 VISHAY
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SQJ952EP-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 23 A, 23 A, 0.012 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 23A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.012ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 25W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.012ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 25W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
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Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 8950 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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Technische Details SQJ952EP-T1_GE3 VISHAY
Description: VISHAY - SQJ952EP-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 23 A, 23 A, 0.012 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 23A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 23A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.012ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 25W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.012ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 25W, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).
Weitere Produktangebote SQJ952EP-T1_GE3
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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SQJ952EP-T1_GE3 | Hersteller : Vishay Semiconductors | MOSFET N Ch 60Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified |
auf Bestellung 8700 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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SQJ952EP-T1_GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SQJ952EP-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 23 A, 23 A, 0.012 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 23A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 23A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.012ohm Verlustleistung, p-Kanal: 25W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.012ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 25W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
auf Bestellung 8950 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SQJ952EP-T1_GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8 |
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SQJ952EP-T1_GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8 |
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