SQJA81EP-T1_GE3 Vishay Siliconix
Hersteller: Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 80V 46A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.3mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5900 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1010 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 6+ | 5.17 EUR |
| 10+ | 4.3 EUR |
| 100+ | 3.42 EUR |
| 500+ | 2.89 EUR |
| 1000+ | 2.45 EUR |
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Technische Details SQJA81EP-T1_GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SQJA81EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 46 A, 0.0143 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 46A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 68W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 68W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0143ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0143ohm.
Weitere Produktangebote SQJA81EP-T1_GE3 nach Preis ab 2.35 EUR bis 5.2 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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SQJA81EP-T1_GE3 | Hersteller : Vishay Semiconductors |
MOSFET P-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET |
auf Bestellung 6560 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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SQJA81EP-T1_GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SQJA81EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 46 A, 0.0143 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 46A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 68W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0143ohm |
auf Bestellung 2990 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SQJA81EP-T1_GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SQJA81EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 46 A, 0.0143 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 46A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 68W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 68W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0143ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0143ohm |
auf Bestellung 2990 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SQJA81EP-T1_GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 80V 46A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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SQJA81EP-T1_GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 80V 46A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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SQJA81EP-T1_GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 80V 46A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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SQJA81EP-T1_GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 80V 46A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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SQJA81EP-T1_GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 80V 46A PPAK SO-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.3mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 68W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5900 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
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