SQM100N04-2m7_GE3 VISHAY
Hersteller: VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 98A; 157W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 98A
Power dissipation: 157W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 95.5nC
Kind of channel: enhanced
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Technische Details SQM100N04-2m7_GE3 VISHAY
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 98A; 157W; D2PAK,TO263, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 40V, Drain current: 98A, Power dissipation: 157W, Case: D2PAK; TO263, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 2.7mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 95.5nC, Kind of channel: enhanced.
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