SQM40020E_GE3

SQM40020E_GE3

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Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFET N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
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Technische Details SQM40020E_GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO263, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8000 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: TO-263 (D²Pak), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 150W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.33mOhm @ 20A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB, Packaging: Tape & Reel (TR).

Preis SQM40020E_GE3 ab 4.81 EUR bis 6.63 EUR

SQM40020E_GE3
SQM40020E_GE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK
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SQM40020E_GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SQM40020E_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0019 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 100
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 150
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: TrenchFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0019
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 3
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK
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SQM40020E_GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO263
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8000 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263 (D²Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.33mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO263
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263 (D²Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.33mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8000 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
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