SQM40022EM_GE3
SQM40022EM_GE3
Hersteller: VISHAYDescription: VISHAY - SQM40022EM_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 150 A, 0.00133 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Transistormontage: Oberflächenmontage
Wandlerpolarität: n-Kanal
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: TrenchFET
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
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Technische Details SQM40022EM_GE3
Description: MOSFET N-CHAN 40V, Package / Case: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), Supplier Device Package: TO-263-7, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Power Dissipation (Max): 150W (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9200pF @ 25V, Vgs (Max): ±20V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.63mOhm @ 35A, 10V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 40V, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Part Status: Active, Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $).
Preis SQM40022EM_GE3 ab 0 EUR bis 0 EUR
 Hersteller: Vishay Trans MOSFET N-CH 40V 150A Automotive 7-Pin(6+Tab) D2PAK
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Hersteller: VISHAY Description: VISHAY - SQM40022EM_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 150 A, 0.00133 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40 Dauer-Drainstrom Id: 150 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 150 Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 7 Produktpalette: TrenchFET Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00133 Betriebstemperatur, max.: 175 Schwellenspannung Vgs: 3 SVHC: Lead (19-Jan-2021)
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SQM40022EM_GE3 Hersteller: Vishay Trans MOSFET N-CH 40V 150A Automotive 7-Pin(6+Tab) D2PAK
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 Hersteller: Vishay / Siliconix MOSFET 40V Vds 20V Vgs D2PAK (TO-263-7L)
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auf Bestellung 7188 Stücke  Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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SQM40022EM_GE3 Hersteller: Vishay Trans MOSFET N-CH 40V 150A Automotive 7-Pin(6+Tab) D2PAK
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 Hersteller: Vishay Siliconix Description: MOSFET N-CHAN 40V Package / Case: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) Supplier Device Package: TO-263-7 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9200pF @ 25V Vgs (Max): ±20V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.63mOhm @ 35A, 10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Part Status: Active Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $)
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auf Bestellung 40 Stücke Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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 Hersteller: Vishay Siliconix Description: MOSFET N-CH 40V 150A TO263-7 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9200 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-263-7 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.63mOhm @ 35A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) Packaging: Cut Tape (CT)
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Hersteller: Vishay Siliconix Description: MOSFET N-CH 40V 150A TO263-7 FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9200 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-263-7 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.63mOhm @ 35A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
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