SQM40N10-30_GE3

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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 40A TO263
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263 (D²Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Packaging: Cut Tape (CT)
Mounting Type: Surface Mount
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3345 pF @ 25 V

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Technische Details SQM40N10-30_GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 40A TO263, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3345 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: TO-263 (D²Pak), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 107W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 15A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ).

Preis SQM40N10-30_GE3 ab 4.45 EUR bis 6.11 EUR

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Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFET 100V 40A 107W AEC-Q101 Qualified
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 40A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-263 T/R
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SQM40N10-30_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 40 A, 0.023 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 40
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 107
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: TrenchFET Series
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.023
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 3
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SQM40N10-30_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 40 A, 0.023 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 40
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 107
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: TrenchFET Series
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.023
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 3
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
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Description: MOSFET N-CH 100V 40A TO263
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3345 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263 (D²Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
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