SQM40N10-30_GE3 Vishay Semiconductors
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| 1+ | 4.77 EUR |
| 10+ | 3.1 EUR |
| 100+ | 2.27 EUR |
| 500+ | 1.9 EUR |
| 800+ | 1.63 EUR |
| 2400+ | 1.55 EUR |
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Technische Details SQM40N10-30_GE3 Vishay Semiconductors
Description: VISHAY - SQM40N10-30_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 40 A, 0.023 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 40A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 107W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 107W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.023ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm, SVHC: Boric acid (14-Jun-2023).
Weitere Produktangebote SQM40N10-30_GE3
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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SQM40N10-30_GE3 | Hersteller : VISHAY |
 Description: VISHAY - SQM40N10-30_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 40 A, 0.023 ohm, TO-263 (D2PAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 107W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm SVHC: Boric acid (14-Jun-2023) |
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SQM40N10-30_GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SQM40N10-30_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 40 A, 0.023 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 107W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 107W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.023ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm SVHC: Boric acid (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 1390 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SQM40N10-30_GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 40A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-263 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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SQM40N10-30-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 40A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101 |
Produkt ist nicht verfügbar |
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SQM40N10-30_GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 100V 40A TO263 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 107W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3345 pF @ 25 V |
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SQM40N10-30_GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 100V 40A TO263 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 107W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3345 pF @ 25 V |
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SQM40N10-30-GE3 | Hersteller : Vishay / Siliconix | MOSFETs RECOMMENDED ALT SQM4 |
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