SQM40N10-30_GE3
SQM40N10-30_GE3
Hersteller: Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 40A TO263
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263 (D²Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Packaging: Cut Tape (CT)
Mounting Type: Surface Mount
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3345 pF @ 25 V
Informationen zu Lagerverfügbarkeit und Lieferzeiten
auf Bestellung 18 Stücke
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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Technische Details SQM40N10-30_GE3
Description: MOSFET N-CH 100V 40A TO263, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3345 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: TO-263 (D²Pak), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 107W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 15A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ).
Preis SQM40N10-30_GE3 ab 4.45 EUR bis 6.11 EUR
 Hersteller: Vishay Semiconductors MOSFET 100V 40A 107W AEC-Q101 Qualified
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auf Bestellung 33 Stücke Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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 Hersteller: Vishay Trans MOSFET N-CH 100V 40A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-263 T/R
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 Hersteller: VISHAY Description: VISHAY - SQM40N10-30_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 40 A, 0.023 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100 Dauer-Drainstrom Id: 40 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 Verlustleistung Pd: 107 Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: TrenchFET Series Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.023 Betriebstemperatur, max.: 175 Schwellenspannung Vgs: 3 SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
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Hersteller: VISHAY Description: VISHAY - SQM40N10-30_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 40 A, 0.023 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100 Dauer-Drainstrom Id: 40 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 Verlustleistung Pd: 107 Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: TrenchFET Series Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.023 Betriebstemperatur, max.: 175 Schwellenspannung Vgs: 3 SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
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Hersteller: Vishay Siliconix Description: MOSFET N-CH 100V 40A TO263 Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3345 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-263 (D²Pak) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 107W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 15A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
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