SQM40N15-38_GE3 Vishay Siliconix
Hersteller: Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 150V 40A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 166W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3390 pF @ 25 V
auf Bestellung 790 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 4+ | 6.53 EUR |
| 10+ | 5.48 EUR |
| 100+ | 4.44 EUR |
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Technische Details SQM40N15-38_GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SQM40N15-38_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 40 A, 0.027 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 40A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 166W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm.
Weitere Produktangebote SQM40N15-38_GE3 nach Preis ab 3.28 EUR bis 6.58 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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SQM40N15-38_GE3 | Hersteller : Vishay / Siliconix |
MOSFET 150V 40A 166W AEC-Q101 Qualified |
auf Bestellung 1579 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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SQM40N15-38_GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SQM40N15-38_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 40 A, 0.027 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 166W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm |
auf Bestellung 3200 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SQM40N15-38_GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SQM40N15-38_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 40 A, 0.027 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 166W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm |
auf Bestellung 3200 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SQM40N15-38-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans Mosfet N-Ch 150V 40A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) To-263 |
Produkt ist nicht verfügbar |
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SQM40N15-38-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans Mosfet N-Ch 150V 40A Automotive 3-Pin(2+Tab) To-263 |
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SQM40N15-38_GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans Mosfet N-Ch 150V 40A Automotive 3-Pin(2+Tab) To-263 |
Produkt ist nicht verfügbar |
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SQM40N15-38_GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 150V 40A TO263 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 166W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3390 pF @ 25 V |
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SQM40N15-38-GE3 | Hersteller : Vishay / Siliconix | MOSFET RECOMMENDED ALT SQM40N15-38_GE3 |
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