SQP50P03-07_GE3 Vishay Semiconductors
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| 500+ | 3.64 EUR |
| 1000+ | 3.02 EUR |
| 2500+ | 2.81 EUR |
| 5000+ | 2.7 EUR |
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Technische Details SQP50P03-07_GE3 Vishay Semiconductors
Description: MOSFET P-CH 30V 50A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 30A, 10V, Power Dissipation (Max): 150W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220AB, Grade: Automotive, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5380 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.
Weitere Produktangebote SQP50P03-07_GE3
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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SQP50P03-07_GE3 | Hersteller : VISHAY |
 Description: VISHAY - SQP50P03-07_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 50 A, 0.005 ohm, TO-220AB, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 150W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm |
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SQP50P03-07_GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 50A Automotive |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| SQP50P03-07-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 50A Automotive |
Produkt ist nicht verfügbar |
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SQP50P03-07_GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 30V 50A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Grade: Automotive Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5380 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
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