SQS401EN-T1_GE3 VISHAY
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SQS401EN-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 16 A, 0.02 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 62.5W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62.5W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.02ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: VISHAY - SQS401EN-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 16 A, 0.02 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 62.5W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62.5W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.02ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 855 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details SQS401EN-T1_GE3 VISHAY
Description: VISHAY - SQS401EN-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 16 A, 0.02 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 16A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 62.5W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 62.5W, Bauform - Transistor: PowerPAK 1212, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.02ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).
Weitere Produktangebote SQS401EN-T1_GE3
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
---|---|---|---|---|---|
SQS401EN-T1_GE3 | Hersteller : Vishay Semiconductors | MOSFET 40V 16A 62.5W AEC-Q101 Qualified |
auf Bestellung 108781 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
||
SQS401EN-T1_GE3 | Hersteller : Vishay | Trans MOSFET P-CH 40V 16A Automotive 8-Pin PowerPAK 1212 T/R |
auf Bestellung 1921 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
||
SQS401EN-T1_GE3 Produktcode: 183342 |
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld |
Produkt ist nicht verfügbar
|
|||
SQS401EN-T1_GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -16A; Idm: -64A; 20W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -40V Drain current: -16A Pulsed drain current: -64A Power dissipation: 20W Case: PowerPAK® 1212-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 51mΩ Mounting: SMD Gate charge: 21.2nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Application: automotive industry Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
||
SQS401EN-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 40V 16A PPAK 1212-8 |
Produkt ist nicht verfügbar |
||
SQS401EN-T1_GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 40V 16A PPAK1212-8 |
Produkt ist nicht verfügbar |
||
SQS401EN-T1_GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 40V 16A PPAK1212-8 |
Produkt ist nicht verfügbar |
||
SQS401EN-T1_GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -16A; Idm: -64A; 20W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -40V Drain current: -16A Pulsed drain current: -64A Power dissipation: 20W Case: PowerPAK® 1212-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 51mΩ Mounting: SMD Gate charge: 21.2nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Application: automotive industry |
Produkt ist nicht verfügbar |