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SS8P4C-M3/86A

SS8P4C-M3/86A Vishay General Semiconductor - Diodes Division

ss8p3c.pdf Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ARR SCHOTT 40V 4A TO277A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 4A
Supplier Device Package: TO-277A (SMPC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 580 mV @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 40 V
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Technische Details SS8P4C-M3/86A Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Description: DIODE ARR SCHOTT 40V 4A TO277A, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Technology: Schottky, Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode, Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 4A, Supplier Device Package: TO-277A (SMPC), Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 580 mV @ 4 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 40 V.

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SS8P4C-M3/86A SS8P4C-M3/86A Hersteller : Vishay General Semiconductor - Diodes Division ss8p3c.pdf Description: DIODE ARR SCHOTT 40V 4A TO277A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 4A
Supplier Device Package: TO-277A (SMPC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 580 mV @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 40 V
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