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STN1HNK60

STN1HNK60

stn1hnk60.pdf
Produktcode: 117537
Hersteller: ST
Uds,V: 600 V
Idd,A: 0,4 A
Rds(on), Ohm: 8,5 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 156/7
JHGF: SMD
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STN1HNK60 STN1HNK60 Hersteller : STMicroelectronics stn1hnk60.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 0.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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STN1HNK60 STN1HNK60 Hersteller : STMicroelectronics stn1hnk60.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 0.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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STN1HNK60 STN1HNK60 Hersteller : STMicroelectronics stn1hnk60.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 400MA SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 156 pF @ 25 V
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STN1HNK60 STN1HNK60 Hersteller : STMicroelectronics stn1hnk60.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 400MA SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 156 pF @ 25 V
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2000+ 1.06 EUR
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STN1HNK60 STN1HNK60 Hersteller : STMicroelectronics stn1hnk60-1851347.pdf MOSFET 600V 8Ohm 1A N-Chnnl Zener SuperMESH
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STN1HNK60 STN1HNK60 Hersteller : STMICROELECTRONICS SGST-S-A0006185086-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - STN1HNK60 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 500 mA, 8 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.3W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
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STN1HNK60 STN1HNK60 Hersteller : STMICROELECTRONICS SGST-S-A0006185086-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - STN1HNK60 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 500 mA, 8 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.3W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
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STN1HNK60 Hersteller : ST stn1hnk60.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 0.4A STN1HNK60 TSTN1HNK60
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
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STN1HNK60 STN1HNK60 Hersteller : STMicroelectronics stn1hnk60.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 0.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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STN1HNK60 STN1HNK60 Hersteller : STMicroelectronics stn1hnk60.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 0.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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STN1HNK60 Hersteller : STMicroelectronics stn1hnk60.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 0.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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STN1HNK60 STN1HNK60 Hersteller : STMicroelectronics STD1NK60-1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.4A; 3.3W; SOT223
Mounting: SMD
Power dissipation: 3.3W
Polarisation: unipolar
Technology: SuperMesh™
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Drain current: 0.4A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 600V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±30V
Kind of package: reel; tape
Case: SOT223
On-state resistance: 8.5Ω
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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STN1HNK60 STN1HNK60 Hersteller : STMicroelectronics STD1NK60-1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.4A; 3.3W; SOT223
Mounting: SMD
Power dissipation: 3.3W
Polarisation: unipolar
Technology: SuperMesh™
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Drain current: 0.4A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 600V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±30V
Kind of package: reel; tape
Case: SOT223
On-state resistance: 8.5Ω
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NE555P IC Timer
Produktcode: 26138		 description
NE555P IC Timer
Hersteller: TI
IC > IC Timer
Gehäuse: DIP-8
Beschreibung: Timer 1 Ausgang; 4.5...16V; 500 kHz
Temperaturbereich: 0...+70°C
verfügbar: 2729 Stück
Anzahl Preis ohne MwSt
1+0.5 EUR
10+ 0.24 EUR
100+ 0.15 EUR
1000+ 0.12 EUR
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Produktcode: 99908
BC847.215 Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0,1A; 250mW; SOT23 Nexperia
Hersteller: Nexpreria
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: SOT-23
fT: 100 MHz
Uceo,V: 45 V
Ucbo,V: 50 V
Ic,A: 0,1 A
ZCODE: SMD
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10mH 10% (DR 0912 10mH Bochen) (Idc=0,12А, Rdc max=13 Ohm, радиальные выводы, d=9mm, h=12mm)
Produktcode: 123715		 dvk10000k-datasheet.pdf
10mH 10% (DR 0912 10mH Bochen) (Idc=0,12А, Rdc max=13 Ohm, радиальные выводы, d=9mm, h=12mm)
Hersteller: Bochen
Drosseln > Induktivitäten (Drosseln) Leistungsabgabe
Nennwert: 10 mH
Beschreibung und Eigenschaften: Силова, дротова на феритовій гантелі, 10mH±10%, Idc=0.12А, Rdc мax=13 Ohm, радіальні виводи, d=9мм, h=12мм
Typ: DR0912
Abmessungen: d=9 mm; h=12 mm
Робочий струм, А: 0,12 A
auf Bestellung 56 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 200 Stück:
200 Stück - erwartet 16.05.2024
P6KE400CA
Produktcode: 169544		 P6KE6.8%20SERIES-v1.jpg en.CD00000720.pdf media?resourcetype=datasheets&itemid=620a3cb5-3282-4670-8b03-66f21bc75523&filename=littelfuse_tvs_diode_p6ke_datasheet.pdf
P6KE400CA
Hersteller: GS
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Suppressordioden (Schutzdioden, restriktive)
Gehäuse: DO-15
P, Wt: 600 W
U Durchbruch: 400 V
n: 342 V
n: 1 µA
n: Двоспрямований
Монтаж: THT
auf Bestellung 499 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3 MOhm 5% 0,125W Ausfuhr.
Produktcode: 2332
3 MOhm 5% 0,125W Ausfuhr.
Hersteller: Uni Ohm
Widerstande THT > Widerstande THT - 0,125W
Resistenz: 3 MOhm
Präzision: ±5%
P Nenn.,W: 0,125W
auf Bestellung 6959 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
10+0.0037 EUR
100+ 0.0015 EUR
1000+ 0.0012 EUR
Mindestbestellmenge: 10