STN1NK60Z STMicroelectronics
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Technische Details STN1NK60Z STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STN1NK60Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 300 mA, 15 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 300mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 15ohm, SVHC: No SVHC (17-Dec-2015).
Weitere Produktangebote STN1NK60Z nach Preis ab 0.23 EUR bis 1.84 EUR
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Verfügbarkeit |
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STN1NK60Z | Hersteller : STMicroelectronics |
 Trans MOSFET N-CH 600V 0.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
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STN1NK60Z | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 189mA; 3.3W; SOT223 Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 189mA Power dissipation: 3.3W Case: SOT223 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 15Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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STN1NK60Z | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 189mA; 3.3W; SOT223 Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 189mA Power dissipation: 3.3W Case: SOT223 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 15Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate |
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STN1NK60Z | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 0.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
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STN1NK60Z | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 0.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
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STN1NK60Z | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 600V 300MA SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15Ohm @ 400mA, 10V Power Dissipation (Max): 3.3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA Supplier Device Package: SOT-223 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 94 pF @ 25 V |
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STN1NK60Z | Hersteller : STMicroelectronics |
MOSFET N-Ch 600 Volt 0.25A Zener SuperMESH |
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STN1NK60Z | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STN1NK60Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 300 mA, 15 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 300mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 15ohm SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
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STN1NK60Z | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STN1NK60Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 300 mA, 15 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 300mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 15ohm SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
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| STN1NK60Z | Hersteller : ST |
600V 13Ohm, 0.8A Trans MOSFET N-CH 600V 0.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 STN1NK60Z TSTN1nk60z Anzahl je Verpackung: 50 Stücke |
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STN1NK60Z Produktcode: 25979 |
Hersteller : ST |
Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: SOT-223 Uds,V: 600 Idd,A: 0.25 Rds(on), Ohm: 15 Ciss, pF/Qg, nC: 09.04.1994 JHGF: SMD |
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STN1NK60Z | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 0.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
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STN1NK60Z | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 0.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
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| STN1NK60Z | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 0.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
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STN1NK60Z | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 600V 300MA SOT223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15Ohm @ 400mA, 10V Power Dissipation (Max): 3.3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA Supplier Device Package: SOT-223 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 94 pF @ 25 V |
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