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Technische Details STW20NM50FD STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 500V 20A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 214W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-247-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1380 pF @ 25 V.
Weitere Produktangebote STW20NM50FD nach Preis ab 8.96 EUR bis 8.96 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis ohne MwSt | ||||
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STW20NM50FD | Hersteller : STMicroelectronics |
 Trans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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| STW20NM50FD | Hersteller : ST |
Transistor N-Channel MOSFET; 500V; 500V; 30V; 250mOhm; 20A; 214W; -65°C ~ 150°C; STW20NM50FD TSTW20NM50FD Anzahl je Verpackung: 5 Stücke |
auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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STW20NM50FD Produktcode: 180604 |
Transistoren > MOSFET N-CH |
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STW20NM50FD | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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| STW20NM50FD | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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STW20NM50FD | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; FDmesh™; unipolar; 500V; 14A; 214W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Technology: FDmesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 14A Power dissipation: 214W Case: TO247 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.22Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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STW20NM50FD | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 500V 20A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 214W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1380 pF @ 25 V |
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STW20NM50FD | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; FDmesh™; unipolar; 500V; 14A; 214W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Technology: FDmesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 14A Power dissipation: 214W Case: TO247 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.22Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
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